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楼主: phoexi
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关于电容的胡说八道(内有丧心病狂QA350)by.PX

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发表于 2014-3-20 11:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式 来自 湖北省武汉市
本想写一个关于电容的科普帖,可是觉得HIFI界一写科普,一讲科学,必然被喷。思前想后,还不如胡说一通来的安逸。

先上标题里面说的那丧心病狂的QA350图吧。

这个是昨天刚刚完成最终摩机(其实凡事都没有最终,只是这东西已经让我满意了),今天课业少,早上完两节课就找小伙伴们交流去了。小伙伴们听了以后都惊呆了。。。。。
其实这东西摩改不多,只是换了LVP到OP的耦合,改了电池部分,并且把电位器直接换成了分压电阻。
电池换了内阻更低的电芯(原来的电芯也不错)直接焊接到电路板,并且每个并联330uF的三洋聚合物,进一步减小内阻,还可以过滤充电波纹,有利电池寿命。

换电位器实为无奈,因为个人听歌音量较小(85dB左右就够)现在常用EXK灵敏度又高,于是偏音,换了个一张毛爷爷的vishay电位器居然还偏,一怒之下才直接拆了电位器换电阻,换了以后音量固定在我正常听EXK的大小,不能调音量。

还有就是最重要的,换耦合电容,350V2的耦合电容好像有2个版本,MUSE BP和一种不知道品牌的薄膜电容。
最初版应该是BP10uF的,但是用电解做小信号耦合实在是不好的。qls应该也意识到了,于是后来换了薄膜电容,但是容量只有1uF,算一下20Hz阻抗有8kΩ了,电位器是50k,而且这个电位器有输出端并联电阻5k,实际工作时候音量调越大,电阻越小,会明显影响低频。如果接上输入阻抗低的LO就更加没有低频了。
经常有人说QA350低频残应该就源于此(BP虽然容量大,但是偏上盘)。
于是经过各种尝试,最终换了2个vishay(原ERO品牌)MKP1845的2uf(其实还是不够容量,但是这个已经是体积极限了)为了装下,我甚至拆除了显示屏(乱码屏幕也没什么用)。
简要说一下声音的变化,因为供电优化,耦合容量提升,低频好了很多。电位器改电阻(最好的电位器是用多个电阻串联的步进电位器,而我这个更加简洁)和耦合质量的提升,声音细节进一步增加了,配合暴力解析EXK听到了以前没注意到的细节。整体声音取向变化不大,因为MKP1845是个白开水电容(依云品质),原配的那个不知名的薄膜(目测MKS材质)也是白开水(农夫山泉品质)。


好了,这个350就说到此,昨天看到了360的电路板,很漂亮,走线布局都很好,只可惜没有摩机空间了。



切入正题,来胡说八道电容。
第一次体会电容的魅力是做一台仿PASS的灯泡SIT纯甲类功放,因为需要输出耦合电容,一开始没在意,后来偶然间随手换了一个电容发现声音大不一样,于是一发不可收拾的尝试了各种HIFI电容,发现耦合电容对声音影响真的是巨大。然后就开始研究各种电容了。



首先说说电容各项参数的意义,容量的意义就不多说了 我只说说容量选取 电容基本用途,耦合,退耦,滤波储能。
耦合电容用于交流信号传输,并且隔离直流。c=k/(2πfR) k是系数,我一般取10,也就是把低频损耗降到十分之一以下,2π可以直接取6,f是要求的低频频率,一般是20,R是负载阻抗,需要根据电路取值。计算得到的容量单位是F,乘10的6次得到常用单位uF。
退耦电容要求一般在芯片的data都有,需要自己去查。
储能电容用于大动态的供电,一般1A电流取几千uF容量。

耦合和退耦容量不能太大,而储能的可以用很大容量(所谓的大水塘)但是最好多个并联,否则影响高频。

额定电压 通常电解电容等有极性电容标直流电压,薄膜等无极标交流电压(也有都标的) 电压必须有足够余量,特别是钽电容。

ESR 等效电阻,当然是越小越好。

ESL 等效电感,音频频率不高,这个参数影响不大

漏电流 电解漏电大,薄膜相对小,耦合电容漏电太大会引起输出的直流偏移。(西门子千层糕其他参数很好但漏电有点大,故不适合耦合)

正切损耗 输出相位的偏移情况,越小越好。

涟漪电流 能够连续承受的动态电流,功率耦合和储能电容需要考虑,越大越好,一般欧美电容比日本的大。

介质损耗 电介质对电荷会有一定的损耗,耦合电容需要考虑。


然后就来介绍各种电容的特点(不是各种品牌型号的特点,网上很多资料那都是炒作的奸商写的,或者是谁拿一大堆电容,一个个听过去写的听感。奸商都是瞎扯淡,听感也没多大意义。)电容讲究的是搭配,一个电容在不同机器上面效果并不一样。
举个例子,村田的PREmlcc电容在大部分机器上面对比正常声音是偏上盘的,试着换到QA350上面,却是偏下盘,高频还有点糊。

电容确实有一些声音取向,但是如果搭配不合适,就不会表现出来,甚至适得其反。所以摩电容要靠尝试,若是看着介绍特点,买了换上去就是一定那个声音,那就大错特错了。

①电解电容 最常见的电容,容量较大,适合做储能和滤波退耦,以及功率耦合(功放,耳放输出滤波)。其实做耦合是无奈之举,因为音箱耳机阻抗低,需要几百到几千uF的耦合才能保证低频,用薄膜做耦合体积巨大。
②聚合物电容 其实也是一种电解,只不过电解质是聚合物,高频性能更好,内阻更低,但是耐压低,没有超大容量的,并且高价。适合退耦和比较小功率的储能。

③钽电容 特性和聚合物差不多,但是体积更小一些。缺点就是稳定性较差,长时间接近额定电压或者超过,容易放烟花。所以我一般用钽电容留1半电压余量,而其他电容一般只要20%余量。

④独石电容,叠层陶瓷,mlcc 这是同一种,用金属和陶瓷烧成。是唯一一种高频性能出色,无极性,而且大容量的电容。适合退耦和小的储能滤波。但是大部分mlcc因为材料没有补偿,所以容量随电压衰减,以及压电效应,所以不适合耦合。

⑤瓷片,云母 这是一类,参数极好,但是容量小,多用于退耦和震荡电容。

⑥油浸电容 性能优于电解,容量稍小,大多耐压高,用于耦合和高压滤波。耦合味道独特。

⑦法拉电容 一种双电层电容,容量巨大,但是大多高内阻,但是也有低内阻品种,可以用于电源优化,D100上面就有一个法拉电容用于降低电源内阻(4个AA内阻100mΩ以上,eneloop黑xx,其他电池更大)

⑧薄膜电容 最后介绍最有玩头的薄膜电容,因为薄膜多用于信号耦合,对声音影响最大。薄膜电容材料很多种。相对最好的是聚四氟的,又叫特氟龙电容,但是体积大。其次是MKP聚丙烯的,然后是MKT(wima的mks)聚酯的。
建议在体积允许的情况下尽量用MKP,因为大多MKT的声音确实差普通的MKP不少。

最后是几个常见的问答
1.Blackgate电容好不好?
回答:确实好,但是性价比太低。首先BG的现在的价格十分离谱,在停产前,它的价格和ELNA的silmic是差不多的。我对比过BG和silmicIIαSG,只能说各有千秋(不过αSG也不便宜)。当然,如果你烧到一定程度,想用BG电容,只要用对地方,带来的提升确实完全值那个价钱。只是有些土豪居然胡乱的把整个机器的全部电解统统换成BG,兴奋的说音质提升巨大。拜托,电容是需要搭配的,那些钱不管用在哪里都能极大提升你的脑放水平。
2.聚合物电容看起来就高大上?
回答:并不是。 聚合物确实性能比大多数电解强,但是也有一部分电解的性能可以比肩甚至超越聚合物,比如nichicon的HZ系列,内阻接近聚合物,涟漪电流甚至更大,高频性能也很出色。但是,根据我多次的尝试,聚合物或者HZ这种类型的电容,都不适合用于耦合,声音非常毛糙。用于滤波和退偶是不错的选择,特别是数字部分。
3.BP(无极)电容用来耦合好不好?
回答:如果能装得下薄膜电容,尽量用薄膜。 首先有很多人觉得BP是耦合专用电容,其实不然,BP的结构相当于2个反向串联的普通电解(当然,其实是内部铝极片的不同)。主要用途是在偏置电压会变动或者不明的地方。因为普通电解反接会剧烈漏电甚至爆掉,所以此时用BP电容。BP电容仍旧是电解,不能用于纯交流电,必须要有直流偏压才能工作。而且因为其串联结构,所以相同容量的体积和内阻都比普通电解大很多。从参数上面来讲,薄膜电容是全面超越电解电容的,特别是损耗和高频性能。所以,耦合电容尽量用薄膜。用电解做耦合只有2种情况,一是用于调味,电解电容的声音取向比薄膜来的明显,用于耦合可以明显改变整机的风格。二是低阻抗输出的耦合,因为薄膜容量不够,只能用电解。当然如果你丧心病狂的用薄膜阵列取代电解,会明显感到素质的提升(声音不一定好听)
附一张1100uF薄膜电容阵列。。。。。

再来几张以前做的仿PASS灯泡SIT纯甲功放(单声道)图片,各种输出耦合电容


【完】

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