没事帖一个

子木

下面是引用自由的风于2005-05-04 23:39发表的:

47u电容很好应付，你捡最烂的往上焊就对了。

不加r*，你把电位器往下调到底，这时候每个mos的栅极大概可以获得5v的偏置。你说会不会烧？

.......

着样?还是?

子木

下面是引用FDISK0078于2005-05-04 23:54发表的:
子木不要再说了,没想到你会笨到如此地步,
总版即然有完美的电路照做就是了,还在这费什么劲啊.

笨才问嘛,要知道还问个屁呀

sword_yang

呵呵，龙争虎斗，我没装过这样的东东，只能坐山观虎斗，学习学习。。。

yyym2

讨论是好事。但以实践为准。

烂山芋

有的时候讨论技术，也需要做猫头鹰哦。大家和气一团么。哈哈

自由的风

下面是引用子木于2005-05-04 23:54发表的:

着样?还是?

事情一件一件了断吧，牛哥稍安毋躁。

没错，当你把电位器调到最下位置时，电路就成了你画的这个情况。

1.你告诉我这个晶体管现处在什么状态；
2.算一下偏置回路的电流，ma；
3.把这个电流乘以5。千万别问为什么；
4.再把这个数字除以2。

差不多是3.1v吧。

自由的风

牛：
此电路的高频特性取决于：
1.前一级的输出阻抗；
2.耦合电容的性能，容量其次；
3.串在栅极的电阻的大小。这里它的大小是220欧；

用你话说，就是影响fet输入电容充放电快慢的因素。

和偏置电路的大电阻没什么关系。

晚上再细谈，我要上班了。

小不才

下面是引用自由的风于2005-05-05 07:20发表的:
牛：
此电路的高频特性取决于：
1.前一级的输出阻抗；
2.耦合电容的性能，容量其次；
3.串在栅极的电阻的大小。这里它的大小是220欧；
.......

对哦
220K,那个只是偏置电压 的取样电阻,交流的等效电路没有出现的.取什么值只是跟FET 的输入电阻有关系,电容没关系的......牛哥理解不够切底..... [s:2]

kknd

我还是没理解如何跟FET的输入电容脱离关系的?

牛哥

下面是引用kknd于2005-05-05 07:44发表的:
我还是没理解如何跟FET的输入电容脱离关系的?

我也是正好不理解呢，等总斑竹晚上出来解答呢。

子木

下面是引用自由的风于2005-05-05 06:54发表的:


事情一件一件了断吧，牛哥稍安毋躁。

没错，当你把电位器调到最下位置时，电路就成了你画的这个情况。
.......

别用了断这么难听的字眼嘛,先谢了,起先还没搞明白,忽略了一些东西,

方向朝上就对了

CYC

呵呵，与人斗其乐无穷

自由的风

对不起，让大家久等了：）

自由的风

可以简单的看做一个高通后面接一个低通。

整个电路的高频特性几乎全部是由后面的低通的时间常数决定的，也即：Rg×Cin；

信号源的内阻一般都很小，可视为对地短路；
1uf的电容在高频区域容抗很小，可以视为短路；
Rbias是和（信号源内阻+耦合电容容抗）并联的，因为它比后两者之和大好几个数量级，所以可以忽略；

因此，在高频段（20k以及更高），从mosfet看出来的等效电路是：

wode

就这么个简单的0分贝电路也说对电源要求很高，我觉得对电源要求并不高，呵呵。

自由的风

结论：Rbias即偏置电路输出电阻，其值大小只影响低频截止频率的高低。

自由的风

下面是引用wode于2005-05-05 20:34发表的:
呵呵，就这么个简单的0分贝电路也说对电源要求很高，我觉得对电源要求并不高。

那看你用在什么地方。如果你用来推耳机，尤其是低阻高灵敏类型的，试一下你就有所体会了。

子木

下面是引用自由的风于2005-05-05 20:36发表的:

那看你用在什么地方。如果你用来推耳机，尤其是低阻高灵敏类型的，试一下你就有所体会了。

现在怎么又同意对电源的要求高了呢?

牛哥

还是总斑竹错了吧？
   不知道我的计算方法是否正确，按照73楼总斑竹贴的图，这样下来在20K的频率下，0DB放大器的输入阻抗（单边）是4K多一点。

自由的风

看我15楼的帖子。
你贴的那个电路对电源要求高，而我的电路对电源的纹波不敏感。我想wode朋友是指你那个电路。