|
本帖最后由 小米气态键盘 于 2023-1-15 14:03 编辑
用起来太麻烦,启动需要恒流充电,关机又需要快速泄放,单块耐压低到只有数字电路不用串多颗来满足耐压需求,用在单颗耐压不足的模拟电路里要加均衡或者平衡供电,这些辅助电路对声音会不会有影响也是未知数。
我并没有找到有关EDLC在较高工作频率下的性能参考,通常EDLC只提供DC和1KHz的ESR参数,如果它们具有较差的ESL参数,在数字电路的供电退耦里总阻抗大幅超过聚合物和MLCC,那我不认为它会有很好的表现。
超级电容的提高我认为来源于它们极大的容量,这个极大的容量提供了很低的低频段交流阻抗,减小了极低频段的纹波,比如0.1-10Hz频段,LT3045这类LDO在Cset较低时(如1uF)有数倍于ADR1399的噪声,而Cset过大则会影响电压建立时间,较大容量电容的漏电流也存在影响,再加上成本考虑,至少我没见过Cset用超高耐温液态银钽电容的(ADI的IC参数表内的0.1Hz-10Hz噪声,就是用大容量高耐温液态银钽电容用作交流耦合输入LNA放大后测定的,这种电容在常温下拥有极低的漏电流),为稳压器设计精准电压源或许可以带来相似的提高,我之后设计打算用精密电压源,但不打算用超级电容。
电容的几个参数在不同的应用环境会有各自的权重和数值的边际效益,1F的超级电容放在一颗用100MHz时钟工作的芯片旁边的价值和效果恐怕是不如一颗0.01uF的NP0 MLCC的。
|
|