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标题: 常见电容器综合性能测试大比拼 [打印本页]

作者: really 时间: 2006-10-24 13:54
标题: 常见电容器综合性能测试大比拼
为了能够更加合理的使用各种类型和品牌的电容器，笔者对大量常见电容进行了测试。进行测试的有铝电解、os-con电解、SMD电容、CBB、MKP、MKS等等。具体的测试结果见后表。
  测试仪器：GW（固伟）LCR-819 数字电桥
  Agilent 34401a 数字万用表
  GW（固伟）GPS-3303C电源
  电容器的tanδ是损耗角，它的倒数就是D值（Dissipation Factor)。它和信号频率有关系，笔者测试的时候根据电容的容量，选择了不同的测试频率，在表格后面有标住。
表格中的R是LCR测试的等效阻抗的模值，显然和测试信号和等效阻抗有着函数关系。
  电容器的介质吸收DA（dielectric absorption）是由于介质中电荷位移时引起的类似于介质中电荷位移时引起的类似能量递减的现象，表现为经过异端时间短路放电后，仍然残留有部分能量来不及释放，有人认为，这是某些电容器在信号通道引起失真的重要原因。在实验中，先将被测电容在1.5V直流电压下充电4-5分钟，然后将其短路放电3秒，再用电压表测量其两端的残留电压。这和美国陆军军用的MIL-C-19978-D 的测试方法是一样的。
L值是电容器的等效电感，和频率有关系。

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